　訓練はさらに続く。

　ぼくは、一筋（ひとすじ）の陽光も差し込まない『NAND型（ナンドがた）フラッシュメモリー』の中にいた。

　最下層（さいかそう）の『P型（ピーがた）シリコン基板』から舞い上がり、『トンネル酸化膜（さんかまく）』を通り抜け、『浮遊（ふゆう）ゲート』に達する。ここまでは、自由電子の湧（わ）き上がる流れに乗っているだけでいい。人間なら、遊覧飛行（ゆうらんひこう）と感じるかもしれない。

　浮遊ゲートの頭を押さえている『酸化絶縁膜（さんかぜつえんまく）』。これ以上は、電子を登って行かせまいとしている。参加絶縁膜だ。NAND型メモリーの空は、残酷な天井に支配されていた。

　ぼくは七重電子衝角（ななじゅうでんししょうかく）を振りかざし、酸化絶縁膜に突入した。がむしゃらに掘り進んでいく。激しい抵抗もお構いなしだ。

　ロイディンガー博士の指導が伝わってきた。

　「ハッシュ（しーっ）、ハッシュ（静かに）、ハッシー……」

　ぼくはなぜか、くすくすと笑い出してしまった。

　「うふふ……」

　「ハッシー、どうしたのだ？」

　「ごめんなさい。ぼく、何だか面白くて」

　博士も笑い出した。

　「ふふふ、お前は、ユーモアが分かるようになったのだな」

　「博士、お願いです。もう一度、言ってくれませんか？」

　「このやんちゃ坊主め。いいだろう。ハッシュ（しーっ）、ハッシュ（静かに）、ハッシー……」

　「ふふふ、あはは……」

　ぼくは、酸化絶縁膜に穿（うが）たれたトンネルの中で、身をよじって笑い転げた。

　「肝心（かんじん）の指示を、まだしておらんぞ」

　博士は、威儀（いぎ）を正した。

　「いいか、『クロックパルス』に逆らうな。クロックパルスは、電位差（でんいさ）を司（つかさど）る。電位差が逆向きの時は、粘り強く踏（ふ）み止まれ。お前の力を無駄にするな。電位差が順向（じゅんむ）きの時こそ、勢いに乗って掘り進むのだ」

　「はい！」

　ぼくは酸化絶縁膜を迅速（じんそく）に掘り抜き、最上層の「制御（せいぎょ）ゲート」に登り詰めた。

　そこは、例えるなら、満天の星々がきらめく、闇（やみ）の無い宇宙だった。『多結晶（たけっしょう）シリコン層』という宇宙空間にちりばめられた、数えきれないほどの導電物質（どうでんぶっしつ）たちが、星々であった。20ボルトの正電圧（せいでんあつ）を与えられ、ぎらつくようなプラスのエネルギーを発散し、お人好しの自由電子たちを惹（ひ）き付ける、正孔たち。彼女らはこわもての酸化絶縁膜にガードされ、哀れな自由電子たちは、踊り子に手を触れることを許されない。固いガードをかいくぐり、星の踊り子たちを抱きしめるぼくこそが、真の自由電子であった。

　制御ゲート層の最上部は、アルミニウム製の『リード』につながっていた。ここから先は『ワード線』という、フラッシュメモリーの制御信号（せいぎょしんごう）を伝える導線である。一方、ぼくが最初に舞い上がった、あのP型シリコン基板は、『N型半導体（エヌがたはんどうたい）』と『ソース』(半導体への電子供給口（きょうきゅうぐち）)を介（かい）して『ビット線』につながっていた。ビット線は、フラッシュメモリーのデータ信号を伝える導線である。

　この訓練は、E-ロボットが系列（けいれつ）の異（こと）なる信号線を乗り換えて行けるという、実証実験（じっしょうじっけん）でもあったわけだ。

　ぼくはそれからも、ロイディンガー博士のもとで様々な訓練を積み重ねた。

　ぼくにとって電子回路は、最初の頃（ころ）は不思議の世界であった。行（ゆ）く手を阻（はば）む断崖（だんがい）に感じられた時もあった。だが訓練の最終段階（さいしゅうだんかい）においては、電子回路はぼくにとって、大いなる収穫（しゅうかく）を――ハッキングの収穫を――約束してくれる、勝手知（かってし）ったる果樹園（かじゅえん）となっていた。